Gunndiod
Ämnet för Gunndiod är ett ämne som har fångat många människors uppmärksamhet de senaste åren. Sedan dess uppkomst har Gunndiod genererat en hel del debatt och diskussioner inom olika samhällssektorer. Det har väckt både intresse och kontrovers, med motstridiga åsikter och motsatta ståndpunkter. Gunndiod har haft genomslag inom olika områden, från politik och ekonomi till kultur och underhållning. I den här artikeln kommer vi att utforska fenomenet Gunndiod på djupet, analysera dess ursprung, dess utveckling och dess inflytande på dagens värld.
En Gunndiod (döpt efter fysikern J.B. Gunn, på engelska även kallad Transferred Electron Device eller TED) är en form av diod som används i högfrekvenssammanhang. Galliumarsenid (GaAs) tillåter användning i svängningskretsar upp till 200 GHz medan galliumnitrid (GaN) tillåter användning i högre frekvenser - upp till flera THz. Den skiljer sig från andra dioder genom att den bara består av N-dopat material medan de flesta andra typer av dioder består av både P- och N-dopade regioner.
Gunndioden delas upp i tre regioner där två av dem är hårt dopade på båda sidor om terminalerna och de mellanliggande regionen är tunn och lätt dopad. När en elektrisk spänning läggs över terminalerna kommer den elektriska kraften att vara störst i mittregionen. Denna region kommer således börja leda ström samtidigt som gradienten kommer att sjunka vilket förhindrar att dioden leder ytterligare. I praktiken innebär detta att en Gunndiod har ett arbetsområde där det kan fungera som negativ resistans.
Källor
- Den här artikeln är helt eller delvis baserad på material från engelskspråkiga Wikipedia, Gunn diode, 15 juli 2009.